来源：工商时报

        全球最大半导体设备厂应用材料董事长暨执行长麦可.史宾林特看好行动装置芯片需求，认为手机厂间的竞争带动升级需求，有利于半导体厂及设备厂的接单，并预期晶圆代工及NAND Flash的资本支出将持续增加。

　    同时，应材也宣布推出支持20纳米的高效能晶体管磊晶新技术，可提升行动装置ARM应用处理器的运算。

　    应用材料本周在美国旧金山举办分析师日，麦可.史宾林特（Mike Splinter）以「行动领导力的战争」（The War of Mobility Leadership）为今年主题并发表专题演说，看好今年行动装置的强劲需求，将成为半导体市场最大成长动能。

　    麦可.史宾林特指出，2006~2008年间，平均每年前段晶圆制造设备市场达300亿美元，晶圆代工厂占比仅11％，但2010~2012年间，每年市场规模放大到325亿美元，晶圆代工厂支出占比已拉升到36％。预期2013~2016年间，每年设备市场规模将来到320~350亿美元新高，晶圆代工厂占出将再上升到42％，NAND Flash厂占比将达20％。

　    他表示，智能型手机及平板计算机等行动装置的销售量快速成长，不仅带动半导体市场需求，也刺激半导体厂扩大资本支出，而行动装置厂商间的激烈竞争，带动硬件升级风潮，预期晶圆代工厂、NAND Flash厂将增加支出因应需求成长。

　     随着半导体制程今年下半年开始微缩至20纳米以下，明年将加速转进16/14纳米鳍式场效晶体管（FinFET）世代，应材也推出可应用在下世代行动处理器中高效能晶体管磊晶新技术。

　    应材指出，下世代行动处理器芯片中，能否有速度更快的晶体管，取决于N型金属氧化半导体（NMOS）中新的磊晶制程。 N型金属氧化半导体磊晶技术能以约当提升半个装置节点效能，且不增加断态能量损耗的情形下，提升晶体管速度。

　    应用材料以10年来在磊晶技术的领导之姿，推出以Applied Centura RP磊晶设备为基础的NMOS晶体管新应用。这项能力带动业界将磊晶技术向前跃进，促使磊晶能在20纳米时，从原来P型金属氧化半导体（PMOS）延伸到N型金属氧化半导体，协助芯片制造厂建置更快速的装置，精进下世代行动运算力。