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手机升级竞赛 半导体厂进补
发布者:admin    时间:2013-7-11    点击:

来源:工商时报

 

        全球最大半导体设备厂应用材料董事长暨执行长麦可.史宾林特看好行动装置芯片需求,认为手机厂间的竞争带动升级需求,有利于半导体厂及设备厂的接单,并预期晶圆代工及NAND Flash的资本支出将持续增加。

     同时,应材也宣布推出支持20纳米的高效能晶体管磊晶新技术,可提升行动装置ARM应用处理器的运算。

     应用材料本周在美国旧金山举办分析师日,麦可.史宾林特(Mike Splinter)以「行动领导力的战争」(The War of Mobility Leadership)为今年主题并发表专题演说,看好今年行动装置的强劲需求,将成为半导体市场最大成长动能。

     麦可.史宾林特指出,2006~2008年间,平均每年前段晶圆制造设备市场达300亿美元,晶圆代工厂占比仅11%,但2010~2012年间,每年市场规模放大到325亿美元,晶圆代工厂支出占比已拉升到36%。预期2013~2016年间,每年设备市场规模将来到320~350亿美元新高,晶圆代工厂占出将再上升到42%,NAND Flash厂占比将达20%。

     他表示,智能型手机及平板计算机等行动装置的销售量快速成长,不仅带动半导体市场需求,也刺激半导体厂扩大资本支出,而行动装置厂商间的激烈竞争,带动硬件升级风潮,预期晶圆代工厂、NAND Flash厂将增加支出因应需求成长。

      随着半导体制程今年下半年开始微缩至20纳米以下,明年将加速转进16/14纳米鳍式场效晶体管(FinFET)世代,应材也推出可应用在下世代行动处理器中高效能晶体管磊晶新技术。

     应材指出,下世代行动处理器芯片中,能否有速度更快的晶体管,取决于N型金属氧化半导体(NMOS)中新的磊晶制程。 N型金属氧化半导体磊晶技术能以约当提升半个装置节点效能,且不增加断态能量损耗的情形下,提升晶体管速度。

     应用材料以10年来在磊晶技术的领导之姿,推出以Applied Centura RP磊晶设备为基础的NMOS晶体管新应用。这项能力带动业界将磊晶技术向前跃进,促使磊晶能在20纳米时,从原来P型金属氧化半导体(PMOS)延伸到N型金属氧化半导体,协助芯片制造厂建置更快速的装置,精进下世代行动运算力。

 

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