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据了解，陈星弼于1931年1月出生在上海，祖籍浙江省金华市浦江县；

1952年，陈星弼毕业于国立同济大学电机系，先后在厦门大学、南京工学院及中国科学院物理研究所工作；

1956年，陈星弼开始在电子科技大学任教；

1983年，陈星弼担任成都电讯工程学院微电子科学与工程系系主任、微电子研究所所长，曾先后在美国俄亥俄大学、加州大学伯克利分校、加拿大多伦多大学作访问学者；

1999年，陈星弼当选中国科学院院士；

2018年，在功率半导体领域最顶级的学术年会上，陈星弼院士入选ISPSD首届名人堂，成为国内首位入选名人堂的华人科学家。

贡献巨大，被誉为“中国功率半导体器件领路人”

由于对我国功率半导体器件领域做出了巨大贡献，陈星弼院士被誉为“中国功率半导体器件领路人”。上世纪五十年代末，他在国际上最早对漂移晶体管的存贮时间问题作了系统的理论分析；七十年代，他在我国率先制造硅靶摄像管；八十年代以来，从事功率半导体器件的理论与结构创新方面的研究；八十年代末他提出了两种新的耐压层结构，并作了唯一的三维电场分析。其中超结结构打破了传统功率器件的硅极限，被国际学术界称为“功率器件的新里程碑”。

此外，陈星弼院士率先在中国立项并主导研发了VDMOST、IGBT、LDMOST、MCT、EST等器件，并率先提出了各种终端技术的物理解释及解析理论。

陈星弼院士的三项重要发明使电力电子器件发展上升新的台阶。其中，第一种第二种发明突破了高速功率MOS高压下导通电阻极限理论，得到新的极限关系。第一种发明被Siemens公司实现，98年在国际电子器件会议（旧金山）发表。第二种发明及第三种发明已在国内实验成功。根据第三种发明来制造高压（功率）集成电路中的横向器件，可以在工艺上和常规的CMOS及BiCMOS工艺兼容，使这种电路不仅性能优越，而且成本节省，可立足国内，并正在走向产品开发，获得国家发明奖及国家科技进步奖二项，省部级奖十三项。这些发明打破了传统极限理论的约束，使器件的电学性能得到根本性的改进。