中芯国际在去年成功投产14nmFinFET工艺，今年初为华为代工麒麟710A芯片，目前它更先进的12nm工艺也已投产，在芯片制造工艺方面已居于全球芯片代工厂第二梯队，与联电和格芯居于同一水平。

不过联电和格芯已宣布停止研发7nm工艺更先进的工艺，如果中芯国际可以成功研发出接近于7nm的工艺，它将超越联电和格芯，成为台积电和三星的有力挑战者。

为研发7nm工艺，中芯国际已为此做好充分的准备，在人才方面获得了台积电前资深技术研发处长梁孟松的加入，正是在梁孟松的支持下，中芯国际加快了14nmFinFET工艺的研发，如今在他的支持下加速了7nm工艺的研发进程。

业界都知道，越先进的工艺，需要投入的资金就越多，此前国家集成电路产业基金和上海集成电路产业基金已向中芯国际投资数十亿美元，如今中芯国际即将在A股上市募资超过400亿元人民币，累计获得投资额已近百亿美元，巨额资金的投入为中芯国际研发先进工艺提供巨大的支持。

目前阻碍中芯国际研发更先进工艺的最大障碍就是难以获得荷兰ASML的EUV光刻机，不过台积电此前投产的第一代7nm工艺就没有采用EUV光刻机，证明即使没有EUV光刻机也能研发出7nm工艺。

柏铭科技相信中芯国际在有诸多技术人才和巨额资金的支持下，中芯国际是有可能如媒体推测的在今年底投产接近7nm的N＋2工艺，在没有获得EUV光刻机的情况下，中芯国际可以先提高N＋2工艺的良率，锤炼先进工艺，为更先进的工艺做好准备。

台积电正是在成功投产7nm工艺之后再引入EUV光刻机，随后迅速研发更先进的5nm工艺，这是一条相当稳妥的路线，中芯国际作为后来者以类似于台积电的工艺演进路线应该是较为合适的。

中国已成为全球最大的芯片市场，每年采购芯片的金额超过石油进口额，2014年中国成立第一期集成电路产业基金，从那之后中国的芯片产业就进入飞速发展阶段，这几年中国在芯片研发方面已取得了巨大的成绩，在手机芯片、AI等技术方面已与世界一流水平接近。

阻碍中国芯片产业发展的就是芯片制造工艺，中芯国际作为中国最大的芯片代工厂被寄予厚望，如今中芯国际在人才和资金方面都得到了大力扶持，柏铭科技相信中芯国际的芯片制造工艺可望在未来数年缩短与台积电和三星的差距，为中国芯片产业的发展提供强有力的支持。

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